传三星将采用长江存储专利混合键合技术:用于400+层的第10代V-NAND闪存
上个月有报道称,长江存储(YMTC)已经开始出货第五代3D TLC NAND闪存,共有294层,以及232个有源层。长江存储已经成功地将密度提高到行业相同的水平,实现了最高的垂直栅密度,也是现阶段商业产品中最高的,使其成为了全球NAND闪存市场的有力竞争者。 据TrendForce报道,将从第10代V-NAND闪存开始,采用长江存储的专利混合键合技术。三星的目标是在2025年下半年开始量产第10代V-NAND闪存,预计总层数达到420层至430层。此外,传闻SK海力士也正在与长江存储进行专利协.
03-09 2025